Информационное агентство
ВакансииИнтЕрвЬЮОтставки / Назначения
IT и медиа

Ученые вырастили материал для энергонезависимой памяти

07 апреля 2016 16:52IT и медиа

Ученые из Московского физико-технического института, Университета Небраски и Университета Лозанны впервые вырастили сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния, которые могут стать основой для элементов энергонезависимой памяти – сегнетоэлектрических туннельных переходов. Результаты исследования опубликованы в журнале ACS Applied Materials and Interfaces.

Сегнетоэлектрик представляет собой вещество, «запоминающее» направление приложенного внешнего электрического поля путем остаточной поляризации зарядов. Ученым удалось экспериментально продемонстрировать, что сплавные поликристаллические пленки оксидов гафния и циркония толщиной 2,5 нм сохраняют сегнетоэлектрические свойства.

«Поскольку структуры из этого материала совместимы с кремниевой технологией, можно рассчитывать, что в ближайшем будущем непосредственно на кремнии могут быть созданы новые устройства энергонезависимой памяти с использованием сегнетоэлектрических поликристаллических слоев оксида гафния», — отметил ведущий автор исследования, заведующий лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич.

По словам ученых, если сегнетоэлектрические туннельные переходы на основе оксида гафния будут созданы, то в них, вероятно, удастся продемонстрировать мемристорные свойства, считающиеся необходимым условием для создания электронных синапсов. Электронные синапсы будут использоваться в разрабатываемых нейроморфных системах, воспроизводящей принципы работы человеческого мозга.

Комментарии
Срочная новость   ⁄